IEGULDĪJUMS TAVĀ NĀKOTNĒ!

1. AS ALFA RPAR ir noslēdzis 2011.gada 10.augustā līgumu Nr. L-JPR-11-0095 (projekta Nr. JPR/2.1.2.2.2/11/02/132) ar v/a "Latvijas Investīciju un attīstības aģentūrapar projekta "A/S ALFA RPAR jaunu produktu ieviešana" īstenošanu, ko līdzfinansē Eiropas Reģionālās attīstības fonds.
2. AS ALFA RPAR  2011.gada oktobra-novembera mēnesī projekta JPR/2.1.2.2.2./11/02/132 A/S ALFA RPAR jaunu produktu ieviešana" ietvaros ir iegādajusies šādas iekārtas:
            a) plazmas apstrādes līniju pusvadītāju ražošanai,
            b) integrālo shēmu testēšanas  staciju,
           c) hēlija hermētiskuma testēšanas staciju.

3. AS ALFA RPAR, izmanotojot projekta JPR/2.1.2.2.2./11/02/132 ietvaros nopirktās iekārtas, ir sākusi jauna izstrādājuma AS 620 ražošanu.

4. AS ALFA RPAR ir kā viena no SIA «LEO Pētījumu centrs» dibinātājiem ir uzsākusi līdzdalību projekta «Latvijas elektronisko un optisko iekārtu ražošanas nozares kompetences centrs» pētījumu virziena «Elektronikas un elektrotehnikas industriālo tehnoloģiju pētījumu un jaunu produktu izstrādes virziens» īstenošanā (projekta Nr. KC/2.1.2.1.1/10/01/005,līguma Nr. L-KC-11-0006). Projekta īstenošana paredzēta līdz 2015. gada 1. jūlijam. Finansējuma saņēmējs: SIA «LEO Pētījumu centrs»

5. AS ALFA RPAR sadarbībā ar biedrību „Latvijas Elektrotehnikas un elektronikas rūpniecības asociācija” (LETERA) piedalās Eiropas Savienības fonda projektā „Latvijas Elektronikas un elektrotehnikas nozares klasteris” (projekta Nr. KAP/2.3.2.3.0/12/01/003).

Projekts tiek īstenots darbības programmas „Uzņēmējdarbība un inovācijas” papildinājuma 2.3.2.3. aktivitātes „Klasteru programma” ietvaros, ievērojot 2012.gada 12.septembra Līgumu par projekta īstenošanu Nr. L-KAP-12-0002, kas noslēgts starp LETERA un valsts aģentūru „Latvijas Investīciju un attīstības aģentūra”.

Projekta norises laiks: 2012. - 2015.gads.

1. ALFA RPAR AS īsteno pētniecības projektu Darbības programmas "Izaugsme un nodarbinātība" 1.2.1. specifiskā atbalsta mērķa "Palielināt privātā sektora investīcijas P&A" 1.2.1.1. pasākuma "Atbalsts jaunu produktu un tehnoloģiju izstrādei kompetences centru ietvaros" otrās projektu iesniegumu atlases kārtas ietvaros.
Pētniecības projekta nosaukums: Augstas pretestības rezistīvo slāņu pētījums
Projekts Nr. 1.2.1.1/16/A/002
Īss apraksts:
Projekta mērķis ir veikt pētījumus un iegūt zināšanas par augstas pretestības rezistīvo elementu izveidošanas iespējām ar samazinātām dimensijām un lieliem nomināliem. Tāpat projektam izvirzīts mērķis – iegūt zināšanas par metāla silicīda plāno rezistīvo slāņu uzklāšanas metodēm, režīmiem un rezistīvo slāņu pēcapstrādi.
Mērķi:
Sasniedzot pētījuma mērķi, iegūstot zināšanas par augstas pretestības (≥ 5kΩ/mm2) rezistoru materiālu un tehnoloģiju izstrādi ar TCR ≤50ppm/0C, tiks radītas iespējas izstrādāt principiāli jaunus produktus - analogo mikroshēmu ar integrētiem augstas pretestības rezistoriem. Iegūtās zināšanas un uz tām balstītā jauna produkta izstrāde ļaus palielināt produkcijas klāstu, piedāvājot klientiem augstākas kvalitātes un precizitātes analogās mikroshēmas.



Rezultāti:

01.06.2016 Projekta sākums.

10.01.2017  Pārskats.

09.02.2018  Pārskats (prezentācija).

30.11.2018  Pārskats (prezentācija).

15.01.2019  Atskaite prezentācija