IEGULDĪJUMS TAVĀ NĀKOTNĒ! |
1. AS ALFA RPAR ir noslēdzis 2011.gada 10.augustā līgumu Nr. L-JPR-11-0095 (projekta Nr. JPR/2.1.2.2.2/11/02/132) ar v/a "Latvijas Investīciju un attīstības aģentūrapar projekta "A/S ALFA RPAR jaunu produktu ieviešana" īstenošanu, ko līdzfinansē Eiropas Reģionālās attīstības fonds.
2. AS ALFA RPAR
2011.gada oktobra-novembera mēnesī
projekta
JPR/2.1.2.2.2./11/02/132
A/S ALFA RPAR jaunu
produktu ieviešana" ietvaros ir iegādajusies šādas iekārtas:
a) plazmas
apstrādes līniju
pusvadītāju ražošanai,
b) integrālo
shēmu testēšanas
staciju,
c) hēlija
hermētiskuma
testēšanas
staciju.
3. AS ALFA RPAR, izmanotojot projekta JPR/2.1.2.2.2./11/02/132ietvaros nopirktās iekārtas, ir sākusi jauna izstrādājuma AS 620 ražošanu.
4. AS
ALFA RPAR
ir
kā viena no SIA «LEO Pētījumu centrs» dibinātājiem
ir uzsākusilīdzdalību projekta «Latvijas elektronisko un optisko iekārtu
5. AS ALFA RPAR
sadarbībā ar biedrību „Latvijas Elektrotehnikas un elektronikas rūpniecības
asociācija” (LETERA) piedalās Eiropas Savienības fonda projektā „Latvijas
Elektronikas un elektrotehnikas nozares klasteris”
(projekta Nr.
KAP/2.3.2.3.0/12/01/003).
Projekts tiek īstenots darbības programmas „Uzņēmējdarbība un inovācijas” papildinājuma 2.3.2.3. aktivitātes „Klasteru programma” ietvaros, ievērojot 2012.gada 12.septembra Līgumu par projekta īstenošanu Nr. L-KAP-12-0002, kas noslēgts starp LETERA un valsts aģentūru „Latvijas Investīciju un attīstības aģentūra”.
1. ALFA RPAR AS īsteno pētniecības
projektu Darbības programmas "Izaugsme un nodarbinātība" 1.2.1. specifiskā
atbalsta mērķa "Palielināt privātā sektora investīcijas P&A" 1.2.1.1. pasākuma
"Atbalsts jaunu produktu un tehnoloģiju izstrādei kompetences centru ietvaros"
otrās projektu iesniegumu atlases kārtas ietvaros.
Pētniecības projekta nosaukums:
Augstas pretestības rezistīvo slāņu pētījums
Projekts Nr. 1.2.1.1/16/A/002
Projekta mērķis ir veikt pētījumus un iegūt zināšanas par augstas pretestības
rezistīvo elementu izveidošanas iespējām ar samazinātām dimensijām un lieliem
nomināliem. Tāpat
projektam izvirzīts mērķis – iegūt zināšanas par metāla silicīda plāno rezistīvo
slāņu uzklāšanas metodēm, režīmiem un rezistīvo slāņu pēcapstrādi.
Mērķi:
Sasniedzot pētījuma mērķi, iegūstot zināšanas par
augstas pretestības (≥
5kΩ/mm2)
rezistoru materiālu un tehnoloģiju izstrādi ar TCR ≤50ppm/0C,
tiks radītas iespējas izstrādāt principiāli jaunus produktus - analogo
mikroshēmu ar integrētiem augstas pretestības rezistoriem. Iegūtās zināšanas un
uz tām balstītā jauna produkta izstrāde ļaus palielināt produkcijas klāstu,
piedāvājot klientiem augstākas kvalitātes un precizitātes analogās mikroshēmas.
Rezultāti:
01.06.2016
Projekta sākums
10.01.2017 Pārskats.
09.02.2018 Pārskats (presentācija).
30.11.2018 Pārskats (presentācija).
15.01.2019 Atskaite prezentācija
2. ALFA RPAR AS īsteno pētniecības
projektu Darbības programmas "Daudzslāņu
silīcija nanokondensators ar uzlabotiem dielektriskiem slāņiem (2017-2020)"
(vairāk).
Finansējums: 1.1.1.1/16/A203
Informatīvais ziņojums par projekta
progresu, 13.03.2020
Projekts Nr. 1.2.1.1/18/A/006
Projekta “Mašīnbūves kompetences centrs” ietvaros AS
“ALFA RPAR” 2020. gada janvārī uzsāk pētniecisko aktivitāšu īstenošanu pētījumā
Nr. 4.5 “Tehnoloģiskie pētījumi un silīcija ražošana ar diametru līdz 100 mm
izmantošanai vājstrāvas un lieljaudas mikroelektronikas cietvielu ierīcēs”.
Pētniecības projekta mērķis ir pētījumi, lai organizētu eksperimentāli
rūpniecisku silīcija monokristālu ražošanu, ko izmanto elektronisko ierīču
ražošanā.
Pētījumu plānots realizēt līdz 2021.gada 30.
novembrim. Pētniecības projekta kopējās izmaksas plānotas EUR 428 779,38, tai
skaitā EUR 290 281,04 Eiropas Reģionālās attīstības fonda finansējums.
Projekta mērķis:
komersantu konkurētspējas paaugstināšana, veicinot pētniecības un rūpniecības
sektora sadarbību, īstenojot pētniecības projektus viedās specializācijas
apakšjomā modernas ražošanas tehnoloģijas un inženiersistēmas, kas attīsta
jaunus produktus un tehnoloģijas un ievieš tās ražošanā minētajā jomā.
Projekta vadosais partneris: Rigas Tehniska universitate
Projekta merkis: Izstradat inovativu planaro lauka emisijas mikrotriodes strukturu, kas izgatavota,
izmantojot Latvija tradicionalas pusvaditaju tehnologijas, un kuru paredzets izmantot audioelektronikas
pastiprinatajos "dzivas skanas" radisanai. Projekta izpildes rezultata palielinasies Latvijas ekonomikas
inovacijas speja, konkuretspeja un tiks veicinata ekonomikas ilgtspejiga izaugsme.
1.
ALFA RPAR AS īsteno pētniecības projektu Latvijas Atveseļošanas un noturības mehānisma plāna 5.1.r. reformu un investīciju virziena "Produktivitātes paaugstināšana caur investīciju apjoma palielināšanu P&A" 5.1.1.r. reformas "Inovāciju pārvaldība un privāto P&A investīciju motivācija" 5.1.1.2.i. investīcijas "Atbalsta instruments inovāciju klasteru attīstībai" īstenošanas noteikumu kompetences centru ietvaros. Projekts Nr. 5.1.1.2.i.0/1/22/A/CFLA/002
Šī projekta "Uz čipa veidots optiskās frekvenču ķemmes gaismas avots (CHIP-comb)" galvenais mērķis ir izstrādāt energoefektīvu uz optiskā čipa veidotu toroidālo čukstošās galerijas modu (angl. whispering gallery mode (WGM)) augsta Q faktora mikrorezonatoru kā jaunu gaismas avotu plašam lietojumu klāstam. Tas paredz izveidot mikrolāzera optisko čipu, kura pamatā ir WGM mikrorezonatori, t.i. pārskaņojamai OFC ģenerēšanai. Primāri, tiek plānota uz čipa veidota toroidāla mikrorezonatora projektēšana un izstrāde. Rezultātā tiks izstrādāts izmaksu efektīvs WGM mikrolāzers stabilu un pārskaņojamu (optisko harmoniku) nepārtrauktu viļņu (angl. continuous wavelenght (CW)) ģenerēšanai optiskajā C-joslā (1530–1565 nm) un plašākā optiskajā diapazonā.
Informatīvais
ziņojums par paveikto laika posmā 31.05.2022. - 30.06.2022.
Informatīvais
ziņojums par paveikto laika posmā 01.07.2022. - 30.09.2022.
Informatīvais ziņojums par paveikto laika
posmā 01.10.2022. - 31.12.2022.
Informatīvais
ziņojums par ERAF projektā No. 1.1.1.1/20/A/109 paveikto laika posmā 01.01.2023. - 31.03.2023..
IInformatīvais ziņojums par ERAF projektā No. 1.1.1.1/20/A/109 paveikto laika posmā 01.04.2023. - 30.06.
2023.
Informatīvais ziņojums par ERAF projektā No. 1.1.1.1/20/A/109 paveikto laika posmā 01.07.2023. - 30.09.2023.
Informatīvais ziņojums par ERAF projektā No. 1.1.1.1/20/A/109 paveikto laika
posmā 01.10.2023. - 28.11.2023.
Pētījums Nr. 1.16 "Uz čipa veidots optiskās frekvenču ķemmes gaismas avots (CHIP-comb)"
Projekta partneris: Rīgas Tehniskā Universitāte
Pētījuma īstenošanas periods : No 2024. gada 1. marta līdz 2024. gada 31. decembrim
Pētījuma attiecināmās izmaksas : 300 000 €
ES finansējums: Atveseļošanas fonda publiskais finansējums : 199 987,50 €