IEGULDĪJUMS TAVĀ NĀKOTNĒ!

 
      

1. AS ALFA RPAR ir noslēdzis 2011.gada 10.augustā līgumu Nr. L-JPR-11-0095 (projekta Nr. JPR/2.1.2.2.2/11/02/132) ar v/a "Latvijas Investīciju un attīstības aģentūrapar projekta "A/S ALFA RPAR jaunu produktu ieviešana" īstenošanu, ko līdzfinansē Eiropas Reģionālās attīstības fonds.

2. AS ALFA RPAR  2011.gada oktobra-novembera mēnesī projekta  JPR/2.1.2.2.2./11/02/132 A/S ALFA RPAR jaunu produktu ieviešana" ietvaros ir iegādajusies šādas iekārtas:
            a) plazmas  apstrādes  līniju  pusvadītāju  ražošanai,
            b) integrālo  shēmu  testēšanas  staciju,

            c) hēlija  hermētiskuma  testēšanas  staciju.

       3. AS  ALFA  RPAR,  izmanotojot  projekta  JPR/2.1.2.2.2./11/02/132ietvaros  nopirktās  iekārtas, ir  sākusi  jauna  izstrādājuma  AS 620  ražošanu.

      4. AS  ALFA  RPAR  ir kā viena no SIA «LEO Pētījumu centrs» dibinātājiem ir uzsākusilīdzdalību projekta «Latvijas elektronisko un optisko iekārtu ražošanas nozares kompetences centrs» pētījumu virziena «Elektronikas un elektrotehnikas industriālo tehnoloģiju pētījumu un jaunu produktu izstrādes virziens» īstenošanā (projekta Nr. KC/2.1.2.1.1/10/01/005,līguma Nr. L-KC-11-0006). Projekta īstenošana paredzēta līdz 2015. gada 1. jūlijam. Finansējuma saņēmējs: SIA «LEO Pētījumu centrs»

5. AS ALFA RPAR sadarbībā ar biedrību „Latvijas Elektrotehnikas un elektronikas rūpniecības asociācija” (LETERA) piedalās Eiropas Savienības fonda projektā „Latvijas Elektronikas un elektrotehnikas nozares klasteris” (projekta Nr. KAP/2.3.2.3.0/12/01/003).  

Projekts tiek īstenots darbības programmas „Uzņēmējdarbība un inovācijas” papildinājuma 2.3.2.3. aktivitātes „Klasteru programma” ietvaros, ievērojot 2012.gada 12.septembra Līgumu par projekta īstenošanu  Nr. L-KAP-12-0002, kas noslēgts starp LETERA un valsts aģentūru „Latvijas Investīciju un attīstības aģentūra”.

Projekta norises laiks: 2012. - 2015.gads.

1. ALFA RPAR AS īsteno pētniecības projektu Darbības programmas "Izaugsme un nodarbinātība" 1.2.1. specifiskā atbalsta mērķa "Palielināt privātā sektora investīcijas P&A" 1.2.1.1. pasākuma "Atbalsts jaunu produktu un tehnoloģiju izstrādei kompetences centru ietvaros" otrās projektu iesniegumu atlases kārtas ietvaros.

Pētniecības projekta nosaukums: Augstas pretestības rezistīvo slāņu pētījums

Projekts Nr. 1.2.1.1/16/A/002

 Īss apraksts:

Projekta mērķis ir veikt pētījumus un iegūt zināšanas par augstas pretestības rezistīvo elementu izveidošanas iespējām ar samazinātām dimensijām un lieliem nomināliem.  Tāpat projektam izvirzīts mērķis – iegūt zināšanas par metāla silicīda plāno rezistīvo slāņu uzklāšanas metodēm, režīmiem un rezistīvo slāņu pēcapstrādi.

Mērķi:

Sasniedzot pētījuma mērķi, iegūstot zināšanas par augstas pretestības (≥ 5kΩ/mm2) rezistoru materiālu un tehnoloģiju izstrādi ar TCR ≤50ppm/0C, tiks radītas iespējas izstrādāt principiāli jaunus produktus - analogo mikroshēmu ar integrētiem augstas pretestības rezistoriem. Iegūtās zināšanas un uz tām balstītā jauna produkta izstrāde ļaus palielināt produkcijas klāstu, piedāvājot klientiem augstākas kvalitātes un precizitātes analogās mikroshēmas.

Rezultāti:

01.06.2016   Projekta sākums.

10.01.2017   Pārskats.

09.02.2018   Pārskats (presentācija).  

30.11.2018   Pārskats (presentācija).  

15.01.2019   Atskaite prezentācija
 

 2. ALFA RPAR AS īsteno pētniecības projektu Darbības programmas "Daudzslāņu silīcija nanokondensators ar uzlabotiem dielektriskiem slāņiem (2017-2020)" (vairāk).
Finansējums: 1.1.1.1/16/A203

 Informatīvais ziņojums par projekta progresu, 25.08.2017

 Informatīvais ziņojums par projekta progresu, 24.11.2017

 Informatīvais ziņojums par projekta progresu, 23.02.2018  

 Informatīvais ziņojums par projekta progresu, 23.05.2018

 Informatīvais ziņojums par projekta progresu, 23.08.2018

 Informatīvais ziņojums par projekta progresu, 23.11.2018

 Informatīvais ziņojums par projekta progresu, 25.02.2019

 Informatīvais ziņojums par projekta progresu, 27.05.2019

 Informatīvais ziņojums par projekta progresu, 27.08.2019

 Informatīvais ziņojums par projekta progresu, 27.11.2019

 Informatīvais ziņojums par projekta progresu, 13.03.2020
 Informatīvais ziņojums par projekta progresu, 13.03.2020

 

  

   3. ALFA RPAR AS īsteno pētniecības projektu Darbības programmas "Izaugsme un nodarbinātība" 1.2.1. specifiskā atbalsta mērķa "Palielināt privātā sektora investīcijas P&A" 1.2.1.1. pasākuma "Atbalsts jaunu produktu un tehnoloģiju izstrādei kompetences centru ietvaros" ietvaros.

 Pētniecības projekta nosaukums:

 “Analogo elementu pētījumi, kas izmantoti Hi-End audio produktu ražošanā“
       Projekts Nr. 1.2.1.1/18/A/006

 

  Īss apraksts:

 Pētījuma mērķis ir iegūt zināšanas un veikt eksperimentālās izstrādes Hi-End komponentu joma.

 Galvenās aktivitātes:

   - Iegut zināšanas par DAC (digital-analog converter) uzlabošanu;

   - Iegūt zināšanas par hibrīdo audio operacionālo pastiprinātāju (OP) uzlabošanu;

   - Iegūt zināšanas par vakuuma tranzistora izveidi, izmantojot jaunu elementu – stimulēts aukstais katods.

 Informatīvais ziņojums par projekta progresu, 30.10.2019

 Informatīvais ziņojums par projekta progresu, 30.04.2020
 
Informatīvais ziņojums par projekta progresu, 30.10.2020
 
Informatīvais ziņojums par projekta progresu, 26.04.2021
 Informatīvais ziņojums par projekta progresu, 26.12.2021
 Pētījuma rezultātu gala prezentācija 14.07.2022

   4. Darbības programmas “Izaugsme un nodarbinātība” 1.2.1. specifiskā atbalsta mērķa “Palielināt privātā sektora investīcijas P&A” 1.2.1.1. pasākumā “Atbalsts jaunu produktu un tehnoloģiju izstrādei kompetences centru ietvaros” SIA “MAŠĪNBŪVES KOMPETENCES CENTRS” no 2019.gada 1.aprīļa līdz 2021.gada 31.decembrim īsteno projektu Nr.1.2.1.1/18/A/008 “Mašīnbūves kompetences centrs.


   Projekta “Mašīnbūves kompetences centrs” ietvaros AS “ALFA RPAR” 2020. gada janvārī uzsāk pētniecisko aktivitāšu īstenošanu pētījumā Nr. 4.5 “Tehnoloģiskie pētījumi un silīcija ražošana ar diametru līdz 100 mm izmantošanai vājstrāvas un lieljaudas mikroelektronikas cietvielu ierīcēs”. Pētniecības projekta mērķis ir pētījumi, lai organizētu eksperimentāli rūpniecisku silīcija monokristālu ražošanu, ko izmanto elektronisko ierīču ražošanā.


   Pētījumu plānots realizēt līdz 2021.gada 30. novembrim. Pētniecības projekta kopējās izmaksas plānotas EUR 428 779,38, tai skaitā EUR 290 281,04 Eiropas Reģionālās attīstības fonda finansējums.

   Projekta mērķis:
komersantu konkurētspējas paaugstināšana, veicinot pētniecības un rūpniecības sektora sadarbību, īstenojot pētniecības projektus viedās specializācijas apakšjomā modernas ražošanas tehnoloģijas un inženiersistēmas, kas attīsta jaunus produktus un tehnoloģijas un ievieš tās ražošanā minētajā jomā.

 

 Informatīvais ziņojums par projekta progresu, 21.04.2020

 Informatīvais ziņojums par projekta progresu, 06.08.2020
 
Informatīvais ziņojums par projekta progresu, 02.10.2020

 Informatīvais ziņojums par projekta progresu, 02.02.2021
 Informatīvais ziņojums par projekta progresu, 12.04.2021
 
Atskaite 2021

   5. Projekta nosaukums: Planara lauka emisijas mikrotriodes struktura Projekta liguma numurs: 1.1.1.1/20/A/109

       Projekta vadosais partneris: Rigas Tehniska universitate


       Projekta merkis: Izstradat inovativu planaro lauka emisijas mikrotriodes strukturu, kas izgatavota, izmantojot Latvija tradicionalas pusvaditaju tehnologijas, un kuru paredzets izmantot audioelektronikas pastiprinatajos "dzivas skanas" radisanai. Projekta izpildes rezultata palielinasies Latvijas ekonomikas inovacijas speja, konkuretspeja un tiks veicinata ekonomikas ilgtspejiga izaugsme.

  

  Nopublicēts projekta vispārīgais apraksts 30.04.2021.
  Informatīvais ziņojums par projekta progresu 17.05.2021.

  Informatīvais ziņojums par projekta progresu 16.08.2021.

  Informatīvais ziņojums par projekta progresu 14.10.2021.

  Informativais zinojums par ERAF projekta No. 1.1.1.1/20/A/109 paveikto laika posma 01.10.2021.-31.01.2022
 
Informatīvais ziņojums paveikto laika posmā 31.01.2022. – 31.05.2022.
 Informatīvais ziņojums par paveikto laika posmā 31.05.2022. - 30.06.2022.
Informatīvais ziņojums par paveikto laika posmā 01.07.2022. - 30.09.2022.
Informatīvais ziņojums par paveikto laika posmā 01.10.2022. - 31.12.2022. 
Informatīvais ziņojums par ERAF projektā No. 1.1.1.1/20/A/109  paveikto laika posmā 01.01.2023. - 31.03.2023..
 
IInformatīvais ziņojums par ERAF projektā No. 1.1.1.1/20/A/109 paveikto laika posmā 01.04.2023. - 30.06. 20
23. 
Informatīvais ziņojums par ERAF projektā No. 1.1.1.1/20/A/109 paveikto laika posmā 01.07.2023. - 30.09.2023.
 
Informatīvais ziņojums par ERAF projektā No. 1.1.1.1/20/A/109 paveikto laika posmā 01.10.2023. - 28.11.2023.

 

 1. ALFA RPAR AS īsteno pētniecības projektu Latvijas Atveseļošanas un noturības mehānisma plāna 5.1.r. reformu un investīciju virziena "Produktivitātes paaugstināšana caur investīciju apjoma palielināšanu P&A" 5.1.1.r. reformas "Inovāciju pārvaldība un privāto P&A investīciju motivācija" 5.1.1.2.i. investīcijas "Atbalsta instruments inovāciju klasteru attīstībai" īstenošanas noteikumu kompetences centru ietvaros.

 Projekts Nr. 5.1.1.2.i.0/1/22/A/CFLA/002
Pētījums Nr. 1.16 "Uz čipa veidots optiskās frekvenču ķemmes gaismas avots (CHIP-comb)"
Projekta partneris: Rīgas Tehniskā Universitāte
Pētījuma īstenošanas periods : No 2024. gada 1. marta līdz 2024. gada 31. decembrim
Pētījuma attiecināmās izmaksas : 300 000 €
ES finansējums: Atveseļošanas fonda publiskais finansējums : 199 987,50 €

Šī projekta "Uz čipa veidots optiskās frekvenču ķemmes gaismas avots (CHIP-comb)" galvenais mērķis ir izstrādāt energoefektīvu uz optiskā čipa veidotu toroidālo čukstošās galerijas modu (angl. whispering gallery mode (WGM)) augsta Q faktora mikrorezonatoru kā jaunu gaismas avotu plašam lietojumu klāstam. Tas paredz izveidot mikrolāzera optisko čipu, kura pamatā ir WGM mikrorezonatori, t.i. pārskaņojamai OFC ģenerēšanai. Primāri, tiek plānota uz čipa veidota toroidāla mikrorezonatora projektēšana un izstrāde. Rezultātā tiks izstrādāts izmaksu efektīvs WGM mikrolāzers stabilu un pārskaņojamu (optisko harmoniku) nepārtrauktu viļņu (angl. continuous wavelenght (CW)) ģenerēšanai optiskajā C-joslā (1530–1565 nm) un plašākā optiskajā diapazonā.